摘要
南京电子器件研究所基于芯片微凸点制备工艺和倒装互连工艺,进行了GaAs,GaN等晶圆级异构集成3D芯片互连工艺的研究,实现了芯片与芯片堆叠(Die to die,D2D)到芯片与圆片堆叠(Die to wafer,D2W)的技术性突破。芯粒间采用耐腐蚀、抗氧化、有良好塑性变形的金凸点作为互连材料。
作者
田飞飞
凌显宝
张君直
叶育红
蔡传涛
赵磊
陶洪琪
TIAN Feifei;LING Xianbao;ZHANG Junzhi;YE Yuhong;CAI Chuantao;ZHAO Lei;TAO Hongqi(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第3期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
