东京电子开发出全新蚀刻技术

东京电子(TEL)近日宣布,已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术,可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。东京电子表示,该技术首次将电蚀刻应用带入低温范围,从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。该技术不仅能在33分钟内完成10μm深度的高纵横比蚀刻,缩减了耗时,而且蚀刻结构的几何形状相当明显,也有助于制造更高容量的3D NAND闪存芯片,还能够将生产工艺中给全球变暖造成的风险减少84%。