半导体激光对药物性牙龈增生和牙周基础治疗总疗效及改善牙龈增生效果分析

Analysis of the total curative effect of semiconductor laser on drug induced gingival overgrowth and periodontal base treatment and the effect of improving gingival overgrowth

目的分析药物性牙龈增生(DGO)治疗中半导体激光及牙周基础治疗的应用效果,以期进一步提升DGO治疗有效性,促使患者快速康复。方法分析于我院进行治疗的88例DGO患者基本资料,按照入院顺序使用奇偶号法将其等分为各44例的对照组和研究组,予对照组患者实施常规牙周基础治疗,予研究组患者实施牙周基础治疗联合半导体激光治疗,对比2组治疗相关数据。结果治疗前2组患者牙龈增生指数(GHI)比较差异无统计学意义(P>0.05),经过治疗,研究组患者各阶段GHI均低于对照组,差异存在统计学意义(P<0.05);治疗前2组患者龈沟出血指数(SBI)、探诊深度(PD)以及菌斑指数(PLI)比较差异无统计学意义(P>0.05),经过治疗研究组各项治疗评分均比对照组更为理想,差异存在统计学意义(P<0.05);治疗后研究组总有效率为97.73%,对照组总有效率为81.82%,差异存在统计学意义(P<0.05)。结论对DGO患者实施牙周基础治疗下的半导体激光干预能够在更大程度上改善患者病情,同时缩短治疗周期,提升治疗总有效率,应用效果理想,可在临床推广使用。