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一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器
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摘要
为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。
作者
王棋
张颖
机构地区
西安紫光国芯半导体有限公司
出处
《中国集成电路》
2023年第9期20-22,29,共4页
China lntegrated Circuit
关键词
DRAM
刷新控制方法
刷新控制器
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
中国集成电路
2023年 第9期
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