基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究

击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布的影响,通过场限环边缘的JTE层,减弱P+N主结的电场集中效应。Sentaurus-TCAD仿真软件结果表明,NCT结构的PIN二极管的击穿电压为1 063 V,与FLR终端结构相比提高了10.1%,而导通电流几乎一致,Baliga优值提高了21.1%,通过增加一步离子注入的操作,有效提高了PIN的击穿电压。