摘要
日前,《自然-电子学》(Nature Electronics)在线发表了西安交通大学与牛津大学的合作论文“Device-scale atomistic modelling of phase-change memory materials”,同时期刊编辑在Research Briefing专栏对该文章进行了专题推荐。为了解决该问题,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室材料创新设计中心张伟教授和牛津大学化学系Volker L.Deringer教授通力合作,利用先进的机器学习方法并基于高斯近似势能GAP框架。
