新技术或为摩尔定律“续命”

近日,麻省理工学院研究团队成功开发出一种基于二硫化钼的原子级薄晶体管,能直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长,无须任何转移过程。这种由二维材料制成的芯片可以像建楼房一样一层一层地堆叠上去,在更小的面积上集成更多的晶体管。