ALD制备氧化铝及其钝化性研究

该文通过原子层沉积(ALD)法制备TOPCon(隧穿氧化钝化电池)太阳电池中的Al2O3钝化膜,研究ALD沉积工艺参数(反应循环次数循环数、加热温度和三甲基铝(TMA)流量)对硅片少子寿命的影响。通过比较氧化铝薄膜少子寿命差异,得出最佳氧化铝薄膜制备工艺参数,并在该条件下制备了TOPCon太阳电池。结果表明,在反应循环次数65cycle、加热温度220℃和TMA流量30sccm的条件下制备的Al2O3薄膜钝化性最优,该工艺参数下制备的TOPCon电池效率最高,达到了24.10%。