《电源学报》2024年第3期车用高可靠性功率器件封装及辅助技术专辑征文通知

经过50多年的发展,硅(Si)基功率器件的性能已经接近其物理极限。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体功率器件,具有更高的禁带宽度、击穿场强、饱和漂移速率、热导率等优势,是电动汽车、新能源发电、储能、数据中心、电网等领域的核心基础器件,被写入国家十四五规划。