日本科学家开发出散热能力超通用产品两倍的GaN晶体管

2023年12月1日,大阪公立大学和东北大学宣布,两所大学的研究小组和其他研究小组利用金刚石作为基板制造出了氮化镓(GaN)晶体管,与在碳化硅(SiC)基板上制造的相同形状的晶体管相比,成功地将散热量提高了两倍以上。这种晶体管不仅有望应用于5G通信基站、气象雷达和卫星通信领域,还有望应用于迄今为止一直使用真空管的微波加热和等离子体处理领域。该研究成果于2023年11月15日发表在国际期刊《Small》上。