摘要
建设背景.硅及先进半导体材料是发展半导体技术的基石,是全球半导体产业竞争的焦点。近年来,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,以其优越的性能和巨大的市场前景,迅速开辟出全球半导体市场的新赛道。我国《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中明确提出,要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业,极大促进第三代半导体产业在我国更快更好地发展。
出处
《杭州科技》
2024年第1期13-14,共2页
Hangzhou Science&Technology