基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片

V-band Transceiver Chip-let Using Si Fan-out Heterogenous Integration Technology

南京电子器件研究所结合自主的硅基埋置异构集成工艺和InP HBT工艺,设计制造了国内首款基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片(如图1所示)。该芯片内部集成六倍频器、混频器、滤波器、放大器、伪码调制器等,采用球栅阵列封装(Ball grid array,BGA)接口,具有集成度高。