Ho和Ca共掺杂BaTiO_(3)陶瓷的介电性能和缺陷化学研究

在T_(s)=1 400℃的条件下,制备了高致密度(ρ_(r)=94.9%)的(Ba_(1-x)Ho_(x))(Ti_(1-x)/2Ca_(x/2))O_(3)陶瓷,即BHTC陶瓷。在BHTC陶瓷中中,Ho^(3+)主要占据A位,Ca^(2+)主要占据B位,同时存在少量的Ho^(3+)和Ca^(2+)离子分别占据B位和A位。当x=0.06和0.08时,该陶瓷满足Y5V型介电指标;当x=0.10时,该陶瓷满足更高的Y9V型介电指标。在BHTC1、BHTC2、BHTC3中,介电温度稳定的根本原因是相变点处的介电峰向低温移动;但当0.01≤x≤0.10时,由于Ho_(Ba)-Ho_(Ti)、Ho_(Ba)-Ca_(Ti)-Ho_(Ba)缺陷复合体的存在,TC随x值的增加往高温方向移动。