晶湛半导体GaN外延片生产扩建项目竣工验收

近日,据“独墅湖科创区发布”官微消息,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。据悉,该项目占地面积16.5亩,总建筑面积2.2万平方米,总投资2.8亿元,预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN外延片12万片。