德州仪器转型8英寸GaN工艺

德州仪器(TI)近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划,该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。3月5日,TI韩国总监Ju-YongShin表示,TI正在美国达拉斯、日本会津和其他地方兴建8英寸晶圆厂。据Shin介绍,TI目前采用6英寸工艺生产GaN半导体,达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,而在日本会津工厂,TI正在将现有的硅基8英寸生产线转换为GaN半导体生产线。