超百亿投资SiC项目即将封顶!

近日,据“湖北新闻”透露,长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶,明年7月投产,达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶片及外延片、年产6100万个功率器件模块。据悉,2023年8月25日,武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiCMOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。