第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术

No.22:Chemical Vapor Deposition Technology

(接2024年第2期88页)■MOCVD技术的开发是由于半导体外延沉积的需要。对于金属的沉积,其初始物是相应的金属卤化物,对这些卤化物要求在中等温度(即低于约1000℃)能够分解。而某些金属卤化物在此温度范围内是稳定的,用常规CVD难以实现其沉积。在这种情况下金属有机化合物(如金属的甲基或乙基化合物等)已经成功地用来沉积相应的金属。用这种方法沉积的金属包括Cu、Pb、Fe、Co、Ni、Pt以及耐酸金属W和Mo。