高压超宽带GaN功率放大器芯片的研制

设计了一款采用48 V氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的1 GHz~10 GHz超宽带功率放大器芯片。通过栅源复合场板结构设计提升GaN HEMT器件的击穿电压,并基于高压GaN工艺平台设计了高输出功率超宽带功率放大器芯片。该功率放大器芯片整体输出功率大于20 W,功率附加效率大于23%,输入输出回波损耗小于-10 dB、小信号增益在23~30 dB,各项指标参数较好。