摘要
文章主要介绍了半导体离子注入设备中的关键部件离子源在硼注入过程中存在寿命偏低的问题。并对这个问题的形成机理进行研究,从而提出了解决这一问题的一种有效办法。通过在离子注入机使用的杂质源BF3中增加H2,形成混合气体。实验证明,在离子源的电离过程中使用BF3和H2混合气体时,可以有效减少卤素循环对离子源造成的负面影响,从而提高离子源寿命,同时也提升了离子源产生束流的稳定性。
出处
《今日制造与升级》
2024年第5期173-176,共4页
Manufacture & Upgrading Today