英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代Cool GaN晶体管系列

近日,英飞凌科技股份公司推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaN^(TM)半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40V至700V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫,这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaN^(TM)的优势和产能,确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据YoleGroup预测,未来五年GaN器件市场的年复合增长率(CAGR)将达到46%。