摘要
绝缘栅极双极晶体管(IGBT)是一种半导体器件,其结合了双极型晶体管(BJT),以及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特性,具有优秀的功率开关能力。其主要包括压接式和模块式两种封装类型。本文以压接式IGBT器件为主要研究内容,该类型器件在电力系统得到广泛应用。在应用过程中,该类型器件具备双面散热特性、短路失效模式等优势,尤其在电力系统中的串联型电压源换流器方面发挥重要作用。在此探究其在串联型电压源换流器场合下应用特性,旨在为提升电力系统效率和可靠性提供更多参考。
出处
《电力设备管理》
2024年第13期285-287,共3页
Electric Power Equipment Management