英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革

英飞凌科技股份公司最近宣布,已成功开发出全球首项300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆,300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进,也因为晶圆直径的扩大,每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍,效率也显著提高。