超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略

氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9eV)以及高达8MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速薪露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重要作用。然而,氧化镓的热导率相对较低(0.14W·cm^(-1).K^(-1)),器件在运行中容易积聚热量,可能引发性能下降甚至损坏,成为制约其在更高频率和功率应用中的瓶颈。近年来,研究者们提出了多种解决策略,包括减薄衬底、采用高热导率衬底异质集成以及引入先进封装技术等。