基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用

Application of High Dielectric Constant Materials Based on Atomic Layer Deposition in DRAM

叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high-κ材料具备更优的热力学和电学性能。基于材料物性、工艺设备等局限,仍然存在较多难题,如保证薄膜完全均匀生长、优化掺杂量、抵抗掺杂后的载流子迁移率下降等。