BN-GaN异质结器件中子探测性能研究

氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表,因其独特的物理特性,如宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等,在光电器件及高能物理探测领域展现出巨大潜力。而氮化硼(BN)材料,以其优异的载流子迁移率和光吸收能力,成为与GaN结合形成异质结的理想候选。文章深入探讨了BN-GaN异质结器件在中子探测领域的应用及其性能表现,通过实验与理论分析,研究了BN-GaN异质结器件在中子探测中的性能特点,并探讨了其应用前景。