美国的抗辐射加固技术
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1郭树田.抗辐射加固技术[J].半导体技术,1993,9(6):36-40. 被引量：1
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2何君.微电子器件的抗辐射加固技术[J].半导体情报,2001,38(2):19-23. 被引量：9
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3罗雁横,张瑞君.空间辐射环境与光器件抗辐射加固技术进展[J].电子与封装,2009,9(8):43-47. 被引量：7
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4尹雪梅,李斌,师谦.双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应[J].电子质量,2007(11):25-28. 被引量：2
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5陈桂梅,许仲德,苏秀娣.IC抗辐射加固的方法[J].微处理机,1998,19(4):18-19. 被引量：4
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6王祖军,唐本奇,肖志刚,黄绍艳,张勇,刘敏波,陈伟,刘以农.CCD辐射损伤效应及加固技术研究进展[J].半导体光电,2009,30(6):797-802. 被引量：11
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7薛茜男,李振,姜承翔,王鹏,田毅.面向航空环境的多时钟单粒子翻转故障注入方法[J].电子与信息学报,2014,36(6):1504-1508. 被引量：5
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8印琴,蔡洁明,刘士全,徐睿.集成电路总剂量加固技术的研究进展[J].太赫兹科学与电子信息学报,2017,15(1):148-152. 被引量：7
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9米丹,左玲玲.体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术[J].电子与封装,2016,16(9):40-43. 被引量：5
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10张正选,邹世昌.SOI材料和器件抗辐射加固技术[J].科学通报,2017,62(10):1004-1017. 被引量：5
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