安捷伦科技为无线应用推出高达6GHz单电压、增强型PHEMT场效应管
出处
《电子工程师》
2002年第12期61-61,共1页
Electronic Engineer
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16GHz的单电压增强型PHEMT场效应管[J].世界产品与技术,2002(12):64-64.
-
26GHz的单电压增强型PHEMT场效应管[J].今日电子,2003(1):45-45.
-
3Jeff Wilson.采用PWM的电压反相器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2011,18(10):50-50.
-
46GHz单电压E—pHEMT FET[J].世界电子元器件,2002(12):91-92.
-
5章从福.6GHz单电压E-pHEMT[J].半导体信息,2003,0(1):27-28.
-
6PHEMT场效应管[J].通讯世界,2002,8(12):109-109.
-
7JohnMiller.RDFC—低成本单电压输入开关电源[J].电子设计应用,2008(1):115-116.
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8安捷伦新推SOT-89封装产品ATF-52189和ATF-53189[J].电子测试（新电子）,2005(3):77-77.
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9SSM2380:D类立体声音频放大方案[J].世界电子元器件,2010(6):12-13.
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10力旺电子推出16nm强效版FinFETNeoFuseOTPIP[J].中国集成电路,2015,24(10):12-12.
