非晶硅敏感器件研究进展

非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此。