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基于MAX+PLUSII环境下接口电路设计与仿真 被引量:2

The Interface Circuit Design and Imitation Based on MAX+PLUSII
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摘要 介绍了MAX+PLUSII工作平台下使用VHDL硬件描述语言设计控制系统接口方法,对并口电路的资源进行了规划,具体给出了接口电路的设计编程与结果仿真.
机构地区 南阳市长江路
出处 《微计算机信息》 2002年第12期47-49,共3页 Control & Automation
  • 相关文献

参考文献1

  • 1侯伯亨 顾新.VHDL硬件描述语言数字逻辑电路逻辑设计[M].西安:西安电子科技大学出版社,1999..

共引文献1

同被引文献5

  • 1方健,张正璠,雷宇,乔明,李肇基,张波.有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制[J].Journal of Semiconductors,2005,26(3):541-546. 被引量:6
  • 2Rainer Minixhofer, Kieter Rathei, Using TCAD for Fast Analysis of Misprocessed Wafers and Yield Excursions, ASMC 2005 Proceedings, 2005, pp.198-200.
  • 3Axel Erlebach, Christoph Zechner, and Amir A1-Bayati, TCAD Simulation in Development and Fabrication of Deep-sub-μm Devices, Extended Abstracts of the Third International Workshop on 2-3 Dec. 2002, pp.81 - 84.
  • 4Synopsys, Taurus-Workbench User Guide, Sep 2003.
  • 5Apples JA, Vaes HMJ.High voltage thin layer devices. IEDM Tech Dig, 1979, pp.238-241.

引证文献2

二级引证文献6

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