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射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨
被引量:
5
Deposition of SiO2 Film with Radio Frequency and Magnetron Sputtering
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摘要
介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。
作者
叶光
林志贤
郭太良
机构地区
福州大学信息科学与技术学院
出处
《龙岩师专学报》
2002年第6期44-45,48,共3页
Journal of Longyan Teachers College
关键词
射频磁控溅射
二氧化硅薄膜
SIO2薄膜
淀积速率
制备工艺
集成电路
分类号
TN405.92 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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