摘要
以传真系统发送部分的小型化和低成本为目标,正在活跃地进行密着型图象传感器的研制。这种传感器和原稿的尺寸(长度)相同,与以往使用CCD或MOS型图象传感器的场合相比,无需缩小原稿用的高性能透镜系统。至今所研制的密着型传感器中都是使用CdS—CdSe、Se—As—Te、si等非晶膜作为光电变换单元,在制作方法上都能方便地制成大型图象传感器。在原稿面和光电变换部分之间的光路(约20毫米)上多数都采用聚焦棒状透镜阵列。使用CdS—CdSe的传感器虽已进入实用阶段,但读出速度要提高到每线10毫秒的高速很困难。因此最近试制使用非晶Si:H传感器的事例很多。读出速度可达每线1毫秒,几乎赶上“热记录头”的最高记录速度。非晶Si:H的研制还刚开始,今后的课题是再现性和可靠性。
出处
《光电子技术》
CAS
1983年第1期55-65,共11页
Optoelectronic Technology