上海微系统所成功研制1.5英寸石墨烯单晶晶圆

铜表面催化生长是目前制备石墨烯薄膜的主要技术途径,但由于无法实现单核控制,因而制备的薄膜一般为多晶,且生长速度随着时间的推移逐渐变慢。此前铜衬底上制备的最大石墨烯单晶筹尺寸约为1 cm,且需要较长的生长时间。