摘要
64K动态随机存贮器已于1986年5月13日研制成功。该电路采用3.0微米HMOS技术,其主要性能为:行取数时间tRAc≤200ns(周期为335ns);功耗(工作/维持)≤330mW/20mW。
The 64k DRAM was accomplished on May 13, 1986 with the 3μHMOS technique. Main performances are as follows: access time from RAC tRAc≤200ns (335ns, cycle); power (active/stand by)≤330mW/20mW.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987年第1期5-6,共2页
Research & Progress of SSE
