1986年IEEE GaAs集成电路会议概况

1986年IEEE砷化镓集成电路会议(即1986 IEEE GaAs IC Symposium)于1986年10月28日至30日在美国佛洛里达州奥兰多市南郊120公里的Grenelefe渡假村召开。这是自1979年召开第一届砷化镓集成电路会议以来的第八次年会。参加会议的有美、日、英、法、加和我国的代表830多人,无苏联东欧代表。继每年6月的国际微波会议和微波毫米波单片电路会议之后再召开这样大型的会议,反应出对GaAs集成电路的兴趣日益扩大,即使是在1985年微电子工业停顿的经济萧条时期也如此。1985年美国半导体工业的总销售额减少了17％,参加GaAs IC会议的人数在接连两年接近40％的增长之后又增加了19％。今年发展活动继续显示出巨大增长,证据是提交的论文摘要增加了13％。或许更重要的是这次会议的许多文章指出了正在成熟的工艺和以有利可图的数量最有希望实现商品化的途径。会议的许多论文使人感到明确的应用目的而仍然保持报导新技术学术会议的特点。