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关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析
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1
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摘要
本文对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触提出了研究方向,综述了主要材料GaAs和Inp的欧姆接触的各个方面。同时对最佳合金条件进行了理论分析。
作者
解金山
出处
《光通信研究》
1981年第2期40-51,共12页
Study on Optical Communications
关键词
欧姆接触
INP
GAAS
化合物半导体
接触电阻率
半导体激光器
半导体光激射器
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
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光通信研究
1981年 第2期
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