摘要
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
The principles of down-conversion mixer are introduced, specially a highly linearstructure. The paper realizes a highly linear mixer with 0.18mm CMOS RF model, and presentssimulation results.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期48-50,共3页
Semiconductor Technology