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辐射敏感PMOS管的研制

Research on Radioactive Sensitive PMOS Device
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摘要 本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。 WT10.5,10.BZ]A type of radioactive sensitive PMOS device with different channel length( L ) and varied ratio of width to length ( W/L ) has been fabricated successfully. Moreover, their DC parameters are measured, too.
出处 《电子器件》 CAS 2002年第4期345-348,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 PMOS管 辐射敏感 阈值电压漂移 阈值吸收剂量 radioactive sensitive PMOS drift of threshold voltage
  • 相关文献

参考文献3

  • 1范隆、任迪远、严荣良.空间辐射环境探测技术--一种总剂量测量新技术[C].见:航天部五院第四届卫星抗辐射加固技术交流会文集,1999,兰州.
  • 2Holmes-siedle A. calibration and Flight Testing of A low-Field PMOS Dosimeter[J]. IEEE Transaction Nucl Sci, 1985;NS-32(6):4425-4429
  • 3陈德英,张旭,姜岩峰,樊路嘉,张会珍,余艳玲.PMOS辐照检测传感器[J].仪表技术与传感器,2002(1):3-6. 被引量:4

二级参考文献1

  • 1范隆 任迪元 等.空间辐射环境探测技术--一种总剂量新技术.航天五院第四届卫生抗辐射加固技术交流会[M].兰州,1999..

共引文献3

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