期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
ZnO压敏电阻的脉冲退化规律
被引量：
2
下载PDF
职称材料
导出
摘要
给出了ZnO压敏电阻的脉冲退化规律。研究了ZnO压敏电阻宏观性能退化与瓷体微观结构变化的对应关系,并对影响退化程度的若干因素和脉冲退化机理进行了探讨。
作者
岳瑞峰
李能贵
机构地区
机电部第五研究所
西安交通大学
出处
《电瓷避雷器》
CAS
北大核心
1992年第3期46-50,共5页
Insulators and Surge Arresters
关键词
微观结构
压敏电阻
脉冲退化
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
9
引证文献
2
二级引证文献
13
同被引文献
9
1
孙林,李冶,李学思.
中国氧化锌避雷器的技术进步与发展[J]
.电瓷避雷器,1993(6):3-8.
被引量：8
2
闫中华.
我国避雷器出口的方向和对策研究[J]
.电瓷避雷器,1994(3):32-38.
被引量：1
3
贾广平,郭亚平,刘辅宜.
坯体成型密度对ZnO压敏陶瓷致密化和晶粒生长过程的影响[J]
.电瓷避雷器,1994(4):30-34.
被引量：6
4
丁柱平.
氧化锌电阻片烧结温度、保温时间与其性能的关系[J]
.电瓷避雷器,1995(4):3-7.
被引量：11
5
李盛涛,刘辅宜,李博.
电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响[J]
.电瓷避雷器,1996(5):40-43.
被引量：7
6
王兰义,周晓东,孟祥伟,王贯永,田政.
超细粉碎在氧化锌电阻片研究中的应用[J]
.电瓷避雷器,1996(5):46-48.
被引量：11
7
陈光正,毛华新.
小尺寸大电流ZnO非线性电阻片的研制[J]
.电瓷避雷器,1996(6):30-32.
被引量：2
8
李盛涛,李博,刘辅宜.
压敏电压径向分布对ZnO电阻片闪络特性的影响[J]
.电瓷避雷器,1996(6):33-36.
被引量：3
9
王兰义,张长军,胡楠,张金秀,田政.
氧化锌非线性电阻片无机侧面绝缘层的研究[J]
.河南科学,1997,15(2):172-176.
被引量：8
引证文献
2
1
王兰义,张长军,王贯永,周晓东,田政.
氧化锌非线性电阻片大电流冲击能力的研究[J]
.电瓷避雷器,1998(1):44-48.
被引量：12
2
陈后胜,曹湘君.
抑制浪涌电流用NTCR热敏电阻器的失效模型[J]
.电子元件与材料,2001,21(2):14-15.
被引量：1
二级引证文献
13
1
郑柱坚.
高应变实测曲线拟合法的基本原理及其应用[J]
.云南大学学报（自然科学版）,2000,22(S1):79-87.
被引量：3
2
张桂红,郭洁,徐燕飞,温定筠.
氧化锌非线性电阻片在不同冲击电流波形下的等值电路分析[J]
.电瓷避雷器,2006(1):37-41.
被引量：10
3
张桂红,郭洁,徐燕飞,孙冬慧.
金属氧化物避雷器陡波下模型的准确性分析[J]
.高电压技术,2007,33(3):83-86.
被引量：11
4
蒋国文,王保山,杭文,汤霖,贾锦朝,陈立.
国内Φ35mm氧化锌电阻片大电流耐受能力研究[J]
.电瓷避雷器,2010(2):40-43.
被引量：14
5
彭向阳,王保山,彭发东,熊易,汤霖,雷晓燕.
整只配网用避雷器大电流耐受能力试验研究[J]
.高电压技术,2011,37(10):2443-2449.
被引量：21
6
苏宁,吕雪斌,沈海滨,张搏宇,林毅.
影响10kV复合外套避雷器大电流冲击耐受能力的研究分析[J]
.电瓷避雷器,2012(5):50-53.
被引量：13
7
王兰义,职建中,李可菼,王贤,常建军,李永祥.
氧化锌电阻片生产中新设备和新工艺的应用[J]
.电瓷避雷器,2001(1):34-37.
被引量：5
8
孙泉,罗六寿,田泽群,钟磊.
有关配电型避雷器用电阻片雷电冲击电流耐受能力的探讨[J]
.电瓷避雷器,2018(1):94-98.
被引量：6
9
田泽群,孙泉,桑建平,高永海,陈斌,杨乐,王雨欣.
我国10kV配电类避雷器关键性能分析[J]
.电瓷避雷器,2021(3):45-50.
被引量：6
10
张彦杰,李红伟,郎小华,李宝兵,李石磊,刘凯,刘晓玮,袁素梅,姚玉锁,赵大翠,刘杉,张搏宇.
可控自恢复消能装置避雷器多次冲击能量耐受特性研究[J]
.电瓷避雷器,2022(4):131-139.
1
夏世伟,施健.
Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响[J]
.上海微电子技术和应用,1995(2):1-4.
2
郭春生,任云翔,高立,冯士维,李世伟.
AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理[J]
.半导体技术,2016,41(8):636-639.
3
李志刚,张亚玲,梅霜.
温度循环下IGBT热阻退化模型的研究[J]
.电子技术应用,2016,42(2):25-27.
被引量：3
4
刘亚静,范瑜.
全数字硬件化锁相环参数分析与设计[J]
.电工技术学报,2015,30(2):172-179.
被引量：15
5
谷文萍,张林,杨鑫,全思,徐小波,杨丽媛,刘盼芝.
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响[J]
.电子学报,2016,44(6):1445-1449.
被引量：2
6
刘红侠,郝跃,朱建纲.
沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性[J]
.Journal of Semiconductors,2002,23(1):65-69.
被引量：2
7
郝跃,朱建纲,郭林,张正幡.
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(4):486-490.
被引量：1
8
高兆丰,曹耀龙,高金环,黄杰,徐立生.
照明用功率LED的加速寿命试验[J]
.半导体光电,2009,30(4):534-535.
被引量：4
9
余学峰,艾尔肯,任迪远,张国强,陆妩,郭旗.
MOSFET的热载流子损伤及其退火[J]
.固体电子学研究与进展,2006,26(4):560-563.
被引量：1
10
池雅庆,刘蓉容,陈建军.
宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响[J]
.计算机工程与科学,2014,36(5):786-789.
电瓷避雷器
1992年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
