微波大功率合成器研究(一):—路径差移...
出处
《电光系统》
1992年第4期34-41,共8页
Electronic and Electro-optical Systems
-
1徐剑芳,李成,赖虹凯.微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用[J].微电子学,2005,35(5):521-526. 被引量:5
-
2半导体微电子技术与纳米技术[J].电子科技文摘,2005,0(11):23-27.
-
3赵双领.微波大功率合成器研究(二)—路径差移相法功率合成效率分析[J].电光系统,1993(1):58-62.
-
4黄宝莹.AlGaN/GaN HEMT技术与其专利申请分析研究[J].电子世界,2016,0(12):41-41.
-
5杨燕,郝跃,张进城,李培咸.GaN基微波半导体器件研究进展[J].西安电子科技大学学报,2004,31(3):367-372. 被引量:4
-
6武小坡,赵海洋.微波大功率组件微放电研究[J].微波学报,2012,28(6):62-65. 被引量:8
-
7田超,张健霖,陈卫东,王东进.微波大功率变脉冲放大器的研制[J].现代雷达,2016,38(12):78-82. 被引量:3
-
8陈堂胜,焦刚,薛舫时,曹春海,李拂晓.非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT[J].Journal of Semiconductors,2004,25(1):69-72. 被引量:10
-
9朱广润,张凯,孔月婵.f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs[J].固体电子学研究与进展,2016,36(2).
-
10柏松,陈刚,吴鹏,李哲洋,郑惟彬,钱峰.微波大功率SiC MESFET及MMIC[J].中国电子科学研究院学报,2009,4(2):137-139. 被引量:5
;