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硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟 被引量：1

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摘要 用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况.从中发现:十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50％,(8×8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面的空间排列.同时讨论了不同取代方式对单层膜的影响,并比较了酯基和甲基终止的硅表面单层膜的空间排列方式,模拟结果与实验测量基本吻合.结果表明:分子模拟方法可以作为实验手段的一种辅助工具,在分子水平上为实验提供理论支持和微观信息.
作者 苑世领 蔡政亭 刘永军 肖莉 徐桂英
机构地区 山东大学理论化学研究所 山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室
出处 《中国科学（B辑）》 CSCD 北大核心 2002年第6期502-508,共7页 Science in China(Series B)
基金 国家自然科学基金资助项目(批准号:20173032)
关键词 硅表面烷烃单层膜 分子模拟 分子力学 覆盖率 空间排列 结构信息
分类号 O621 [理学—有机化学]
  • 相关文献

参考文献18

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共引文献4

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献3

中国科学（B辑）
2002年 第6期

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