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用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜 被引量：2

Preparation of PZT Ferroelectric Thin Film by the Sol-Gel Process
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摘要 用溶胶-凝胶法在单晶Si、PLT/Si、PT/Si以及经过质子交换后的LiNbO3基片上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜,分析了界面扩散以及Pb含量对薄膜晶化的影响。在试验中,通过适当添加过量的Pb(CH3COO)2可以防止缺Pb焦绿石相的形成。 Lead zirconate titanate (PZT) thin films are prepared on the substrates of monocrystal Si,PLT/Si,PT/Si/and proton-exchanged(PE)LiNbO3 by sol-gel process.Interface diffusion and the effect of Pb content on the films crystallization were investigated.In all cases,excess Pb(CH3COO)2 was added to avoid the formation of pb-deficient pyrochlore.
作者 吴湘伟 陈振华
机构地区 中南大学材料科学与工程学院 湖南大学材料学院
出处 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2002年第4期13-16,共4页 Rare Metals and Cemented Carbides
关键词 制备 PZT 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 扩散 PZT sol-gel process ferroelectrics thin films diffusion
分类号 TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]
  • 相关文献

参考文献13

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二级参考文献1

共引文献5

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献3

稀有金属与硬质合金
2002年 第4期

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