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SiC晶须的新合成法

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摘要 SiC 晶须和 Si3N4晶须一样,都是目前引人注目的材料之一。SiC 晶须具有优良的机械性能、耐热性、耐腐蚀性,用其增强的金属、塑料、陶瓷复合材料的开发成功与否,关键之一是开发量大价廉的 SiC。1.SiC 晶须的合成法SiC 晶须可以通过下列方法合成:①Si(CH3)3Cl 等有机硅化合物的热分解;②SiCl4等卤化物和 CCl4或烃类的反应;③在2500℃左右的温度下升华再结晶法;
作者 周鹤年
出处 《化工新型材料》 CAS 1986年第8期14-15,共2页 New Chemical Materials
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