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MSM探测器的研究综述 被引量:2

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摘要 光探测器是光纤通信系统的重要组成部分。金属-半导体-金属光电探测器(metal-semicondctor-metal photodetector,MSMPD)具有寄生电容低,响应波长可覆盖光通信1300-1550nm的低损耗窗口波段等优点。在制作工艺方面,MSM-PD结构简单,易于制作,从晶体生长到器件制作的整个过程与FET兼容。因此,MSM-PD已成为光电子集成电路、高速光纤通信系统的高响应光电器件领域的重要研究对象。简要介绍了MSM光探测器的技术概况,分析了MSM-PD的基本原理和性能参数,并论述了MSM探测器的发展趋势。
出处 《黑龙江科技信息》 2015年第9期65-,共1页 Heilongjiang Science and Technology Information
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Narottam Das,Ayman Karar,Mikhail Vasiliev,Chee Leong Tan,Kamal Alameh,Yong Tak Lee.Analysis of nano-grating-assisted light absorption enhancement in metal–semiconductor–metal photodetectors patterned using focused ion-beam lithography[J]. Optics Communications . 2010 (6)
  • 2Wu, P.,Liao, J.,Rena Huang, Z.Integration of inverted InGaAs MSM array on Si substrate through low temperature wafer bonding. Electronics Letters . 2012
  • 3Deniz Caliskan,Bayram Butun,M.Cihan Cakir,Sadan Ozcan,Ekmcl Ozbay.Low dark current and high speed ZnO mctal-scmicon ductor metal photodetector on SiO2/Si substrate. Applied Physics . 2014
  • 4Kazuaki Maekita,Takeo Maruyama,Koichi Iiyama,Toshi-kazu Suzuki.GHz response of metamorphic InAlAs metal-semiconductormetal photodetector on GaAs substrate. Japanese Journal of Applied Physics . 2014

同被引文献20

引证文献2

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