IR为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET
出处
《电源技术应用》
2003年第1期63-63,共1页
Power Supply Technologles and Applications
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1IR为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET[J].电子质量,2002(12):111-111.
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2IR推出三相逆变器驱动器集成电路[J].电源技术应用,2003,6(1):63-63.
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3IR推出运行于更低温度的高速隔离式整流器IGBT模块[J].电子质量,2003(2):91-91.
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49R全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子质量,2003(5):111-111.
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5IR全新16A额定集成功率模块简化电机驱动器设计且节能[J].电子工程师,2003,29(8):23-23.
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6IR为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET[J].电源技术应用,2003,6(1):14-14.
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7IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性[J].电子工程师,2003,29(5):62-62.
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8IR推出全新30V功率MOSFET[J].中国集成电路,2003(44):13-14.
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9IR推出200A超软超快恢复二极管适用于高频焊接及电池充电电路[J].电源技术应用,2003,6(1):61-61.
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10DirectFETMOSFET确立效率新标准[J].电子设计应用,2003(1):103-103.
