IGBT的最佳开关时间

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摘要 IGBT的门是绝缘结构,和MOSFET一样通过门电压可以控制ON、OFF。开关太快的话,逆恢复电流增大,损失增加;太慢的话,开关上需要时间,损失增加,因此,研讨最佳开关时间,让开关速度(dIc/dt)和电流、开关时间的关系明确化。结果是开关速度定为和负荷电流与逆恢复时间Trr1的比相同的话,很明确得出On时的最小开关损失。

作者梁锐贺伟衡邓天军

机构地区广东美的暖通设备有限公司

出处《河南科技》 2014年第3X期96-97,共2页 Henan Science and Technology

关键词 IGBT MOSFET dVce/dt dIc/dt Trr 开关损失

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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