硅片在高温工艺中二次缺陷的形成及控制
-
1张丽珍.硅片在高温工艺中二次缺陷的形成及控制[J].电子工艺简讯,1992(9):8-9.
-
2陶江,武国英,张国炳,陈文茹,王阳元.高温工艺对TiSi_2/n^+-Poly-Si复合栅MOS电容特性及TiSi_2膜性质的影响[J].Journal of Semiconductors,1991,12(6):367-372.
-
3谢书银,石志仪,陈中祥.高温工艺中硅片的翘曲[J].半导体技术,1997,13(5):24-25. 被引量：3
-
4德国开发出可耐高温的新型微芯片[J].集成电路应用,2014(7):44-44.
-
5杨晓婵.日本产业技术综合研究所开发替代ITO的透明导电薄膜[J].现代材料动态,2013(7):9-9.
-
6王士伟,严阳阳,程志强,陈淑芬.低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析[J].北京理工大学学报,2017,37(2):201-206. 被引量：7
-
7李金华,林成鲁,林梓鑫,薛才广,邹世昌.SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性[J].Journal of Semiconductors,1992,13(1):49-54.
-
8谢书银,万关良,李立本,张锦心.硅片高温工艺与塑性形变[J].中国有色金属学报,1998,8(2):291-294. 被引量：1
-
9Christoph Volz,宋湘云.高性能双极/CMOS工艺-CIT2[J].微电子学,1989,19(3):46-50.
-
10韩春,李竞春,谭开洲,张静.基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术研究[J].微电子学,2008,38(1):93-95.
;
