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室温铁磁性半导体MnxGa(1-x)Sb 被引量：2

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摘要 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
作者 陈诺夫 张富强 杨君玲 刘志凯 杨少延 柴春林 王占国 胡文瑞 林兰英
机构地区 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第24期1863-1864,共2页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金(批准号:60176001) 国家重大基础研究计划(批准号:G20000683,G20000365)资助项目.
关键词 铁磁性 稀磁半导体 MnxGa1-xSb 磁滞回线 晶体结构 载流子浓度
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

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共引文献4

同被引文献48

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引证文献2

二级引证文献8

科学通报
2002年 第24期

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