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MCP中单通道电子倍增参数的Monte Carlo模拟计算 被引量:1

MONTE CARLO SIMULATION AND COMPUTATION OF SINGLE CHANNEL MULTIPLYING PARAMETERS IN MCP
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摘要 本文用Monte Carlo方法对电子在MCP单通道中传输,碰撞和次级发射的整个过程进行了模拟。给出了MCP中次级电子能量分布表达式。计算了MCP中单通道电子倍增的有关参数,并对比实验数据讨论了模型及其结果的合理性。 Monte Carlo method is used to simulate the whole courses of electronictransportation, collision and secondary emission in a single channel of MCP. The energy distribution formula of secondary electron of MCP is derived. Each parameter of a single channel in MCP is calculated and discussed.
作者 韦亚一
出处 《电子科学学刊》 CSCD 1992年第1期76-80,共5页
关键词 微通道板 电子倍增 蒙特卡罗法 MCP (microchannel plate) Monte Carlo method Secondary electron emission Electron multiplying
  • 相关文献

参考文献6

  • 1邹异松,电真空成像器件及理论分析,1990年
  • 2汪金祥,光子学报,1986年,4期,29页
  • 3江金祥,特种玻璃,1986年,3卷,3期,20页
  • 4胡汉泉,真空物理与技术及其在电子器件中的应用.下,1985年
  • 5团体著者,旭光情报,1984年,1期,100页
  • 6刘德贵,FORTRAN算法汇编.第2分册,1983年

同被引文献7

引证文献1

二级引证文献3

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