271用传导原子力显微镜对超薄SiO2薄膜的电传导进行纳米级观察
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第6期66-66,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1用传导原子力显微镜给SiO2薄膜和MOS器件的击穿点照相[J].电子产品可靠性与环境试验,2003(6):68-68.
-
2马孝松,国华,余运江.环氧树脂/碳纤维复合封装材料的研究[J].现代表面贴装资讯,2004,3(4):55-58. 被引量:1
-
3王季方,孙向东.对电路理论中受控源分类方法的探讨[J].郑州轻工业学院学报,1997,12(3):65-67.
-
4郭云,杨得全.导电原子力显微镜及其应用[J].物理,1999,28(11):691-696.
-
5易凡,熊锐.Small Rb^+ Doping in CaCu_3Ti_4O_(12)——A Possible Approach to Reduce Dielectric Loss[J].Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science),2014,29(5):912-916. 被引量:1
-
6超低正向压降肖特基势垒整流器[J].今日电子,2016,0(4):65-65.
-
7王立,秦晓刚,李凯,马亚莉,黄良甫.空间静电放电传导干扰分析方法研究[J].中国空间科学技术,2004,24(5):51-55. 被引量:11
-
8井源源,刘艳辉,孟亮.多晶FeS_2薄膜电学性能的研究与进展[J].功能材料信息,2006,3(3):38-42. 被引量:1
-
9彭应全,张福甲,宋长安.Numerical investigations on the current conduction in bilayer organic light—emitting devices with ohmic injection of charge carriers[J].Chinese Physics B,2003,12(7):796-802. 被引量:2
-
10孙华军,侯立松,吴谊群,唐晓东.Reversible Resistance Switching Effect in Amorphous Ge1Sb4Te7 Thin Films without Phase Transformation[J].Chinese Physics Letters,2009,26(2):123-125.