期刊文献+

多陷阱相干效应对氧化层电流弛豫谱的影响 被引量:4

Effect of Multi-Trap Interference on Oxide Current Relaxation Spectroscopy
下载PDF
导出
摘要 本文用单陷阱产生一俘获模型和一级电场因子近似弛豫函数研究了“多陷阱相干效应”对簿栅氧化层电流弛豫谱(OCRS)的影响。给出了高场下、多陷阱共存时,各陷阱OCRS峰并存的条件和峰位、峰值的修正公式。 In this paper, on the grounds of the single-trap model and the first order approximation of the relaxation function of electric field factor, the effects of multi-trap interference on thin oxide current relaxation spectroscopy (OCRS) is studied. The conditions are given under which the OCRS peaks related to the different kind of traps can be observed by OCRS method when there are many kinds of traps generated in the high electric field stressing oxide layer. The corrected formulas of both peak position and peak value have been obtained.
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期25-32,共8页 Acta Electronica Sinica
关键词 薄SIO2 陷阱 相干效应 氧化层 Thin SiO2, Trap,Interference effect,Oxide current relaxation spectroscopy.
  • 相关文献

参考文献7

  • 1许铭真,IEEE Electron Device Letters,1991年,12卷,122页
  • 2许铭真,半导体学报,1991年,2卷,5期,273页
  • 3许铭真,J Appl Phys,1990年,67卷,6924页
  • 4郭维廉,硅-二氧化硅界面物理(第2版),1989年
  • 5Chen C F,J Appl Phys,1986年,60卷,3926页
  • 6谭长华,J Appl Phys,1983年,54卷,4398页
  • 7郑有--,半导体学报,1982年,3卷,55页

同被引文献25

  • 1许铭真,半导体学报,1992年,13卷,1期,62页
  • 2许铭真,IEEE Trans ED,1991年,12卷,3期,122页
  • 3许铭真,半导体学报,1991年,12卷,5期,273页
  • 4许铭真,J Appl Phys Lett,1990年,67卷,11期,6924页
  • 5郭维廉,硅-二氧化硅界面物理(第2版),1989年
  • 6刘晓卫,1992年
  • 7刘晓卫,1991年
  • 8许铭真,IEEE ED,1991年,12卷,3期,122页
  • 9许铭真,半导体学报,1991年,12卷,5期,273页
  • 10许铭真,J Appl Phys,1990年,67卷,11期,6924页

引证文献4

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部